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背散射电子sem—聚焦背散射:揭示材料微观结构奥秘
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背散射电子sem—聚焦背散射:揭示材料微观结构奥秘

时间:2024-06-04 07:45 点击:52 次
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导言

材料的微观结构对于其性能至关重要。例如,金属中的晶粒大小会影响其强度和导电性。半导体中的缺陷会影响器件的性能。聚合物中的相分离会影响其力学和热性能。

背散射电子扫描显微镜(SEM)是一种强大的工具,可用于表征材料的微观结构。背散射电子 SEM-聚焦背散射(BSE-FBSD)是一种高级 SEM 技术,它提供了一种独特的观察材料微观结构的方式。

电子时间器的历史可追溯到20世纪初的机械时钟和手表。当时,科学家们开始探索利用电子元件来计时,这最终导致了第一代电子时间器的诞生。这些早期的设备体积庞大,精度较低,但为未来的发展奠定了基础。

背散射电子 SEM

背散射电子(BSE)是与材料相互作用的高能电子。当 BSE 与样品原子核碰撞时,它们会向后散射。后散射 BSE 的强度取决于样品的平均原子序数(Z)。Z 较大的区域(例如晶粒边界或夹杂物)会产生较强的 BSE 信号。

在 BSE-SEM 中,一束聚焦电子束扫描样品的表面。样品产生的 BSE 被一个探测器收集。探测器信号被转换成图像,其中较亮的区域对应于 Z 较大的区域。

聚焦背散射

FBSD 是一种 BSE-SEM 技术,它利用聚焦离子束(FIB)铣削样品的表面。FIB 是一个细小的聚焦离子束,它可以从样品中清除材料。通过仔细控制 FIB,我们可以创建具有平坦表面和尖锐边缘的样品。

这种平坦的表面可产生更高质量的 BSE 图像,因为 BSE 可以从样品表面更有效地逃逸。尖锐的边缘可以揭示样品内部结构的细节。

BSE-FBSD 的优势

BSE-FBSD 具有许多优势,包括:

高分辨率:FBSD 可以产生亚微米的图像分辨率,使其能够表征材料中非常小的特征。

高对比度:BSE-FBSD 对 Z 值的差异非常敏感,使其能够清楚地显示材料中的不同相和结构。

三维成像:BSE-FBSD 可用于创建材料的 3D 重建,这可以提供其内部结构的更全面的视图。

应用

BSE-FBSD 已成功应用于广泛的材料,包括:

金属:研究晶粒结构、相变和缺陷。

半导体:表征器件结构、缺陷和界面。

聚合物:研究相分离、结晶和形态。

生物材料:表征组织结构、细胞相互作用和生物界面。

案例研究

金属中的晶粒结构

BSE-FBSD 已用于研究金属中的晶粒结构。晶粒是金属中的小晶体,它们的边界由晶界组成。晶粒的大小和形状会影响金属的性能。

通过 BSE-FBSD,我们可以表征晶粒的大小、形状和取向。这有助于我们了解金属的加工历史及其性能。

半导体中的缺陷

BSE-FBSD 已用于表征半导体中的缺陷。缺陷是材料中原子排列中的中断。缺陷会影响半导体的电气性能。

通过 BSE-FBSD,我们可以找出缺陷的位置、大小和类型。这有助于我们改进半导体器件的性能。

聚合物中的相分离

BSE-FBSD 已用于研究聚合物中的相分离。相分离是当聚合物混合物形成两种或更多相时发生的。相的分离会影响聚合物的性能。

通过 BSE-FBSD,我们可以表征相的分离程度、相的形状和大小。这有助于我们了解聚合物的力学和热性能。

BSE-FBSD 是一种强大的工具,可用于表征材料的微观结构。它提供了高分辨率、高对比度和三维成像能力,使其成为研究材料结构、成分和性能的宝贵工具。随着 BSE-FBSD 技术的不断发展,我们期待看到其在材料科学和工程领域的进一步应用。

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